HJT电池的八个优势
HJT电池的优势都有哪些呢？下面就一起来看看吧。
1、转换效率高
主要得益于N型硅衬底以及非晶硅对基底表面缺陷的双重钝化作用。
目前量产效率普遍已在24%以上；25%以上的技术路线已经非常明确，即在前后表面使用掺杂纳米晶硅、掺杂微晶硅、掺杂微晶氧化硅、掺杂微晶碳化硅取代现有的掺杂；HJT未来叠加IBC和钙钛矿转换效率或可提升至30%以上。
2、工艺流程短
HJT电池工艺主要包括4个环节：制绒、非晶硅沉积、TCO沉积、丝网印刷；远少于PERC（10个）和TOPCON（12-13个）。其中，非晶硅沉积主要使用PECVD方法。
TCO薄膜沉积目前有两种方法：RPD（反应等离子体沉积）和PVD（物理化学气相沉积）。RPD专利普及率高，而PVD技术发展成熟，提供设备的厂家较多。
3、低温工艺
HIT电池由于采用硅基薄膜形成p-n结，因而最高工艺温度就是非晶硅薄膜的形成温度(~200℃)，从而避免了传统热扩散型晶体硅太阳电池形成p-n结的高温(约900℃)。低温工艺节约能源，而且采用低温工艺可使硅片的热损伤和变形减小，可以使用薄型硅片做衬底，有利于降低材料成本。三洋(现松下)公司最近获得的高效率HIT电池都是在厚度小于100um的硅片上获得的。
4、高开路电压
HIT电池由于是在晶体硅和掺杂薄膜硅之间插入了本征薄膜i-a-SiH，它能有效地钝化晶体硅表面的缺陷，因而HIT电池的开路电压比常规电池要高许多，从而能够获得高的光电转换效率。目前HIT电池的V达到了750mV。
5、低温度系数
太阳电池的性能数据通常是在25℃的标准条件下测量的，然而光伏组件的实际应用环境是室外，高温下的电池性能尤为重要。由于HIT电池结构中的非晶硅薄膜/晶体硅异质结，其温度特性更为优异，前期报道的HIT电池性能的温度系数为-0.33%/℃经过改进，电池的开路电压得到提升，其温度系数减小至-0.25%/℃，仅为晶体硅电池的温度系数-0.45%/℃的一半左右，使得HIT电池在光照升温情况下比常规电池有好的输出。由于电池结构中的非晶硅薄膜，因此HIT电池具有薄膜电池的优点，弱光性能比常规电池要好。
6、无LID与PID，低衰减
由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅，而N型单晶硅为磷掺杂，不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等，所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜，无绝缘层，因此无表面层带电的机会，从结构上避免PID发生。
7、高双面率
HJT正反面结构对称,而且TCO薄膜是透光的,天然就是双面电池,HJT的双面率能达到90%以上(最高能达到98%)；双面PERC的双面率仅为75%+。
8、低碳足迹
据华晟新能源的数据，异质结电池可降低原材料硅的使用，减少能源消耗，有效降低碳排放。华晟新能源在2024年4月的碳足迹已降低至397eq/W，较PERC组件减少200eq/W，未来将通过一系列降本提效措施，将碳足迹降低至300eq/W以下。