带你了解什么是HJT电池
HJT电池又称为异质结电池，是以N型单晶硅为基底，在前后表面分别沉积不同特性的硅基薄膜叠层和透明导电薄膜。标准晶体硅太阳能电池是一种同质结电池，即PN结是在同一种半导体材料上形成的，而异质结电池的PN结采用不同的半导体材料构成。
首先在N型单晶硅片(c-Si)的正面沉积很薄的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)和p型非晶硅薄膜(p-a-Si:H)，然后在硅片的背面沉积很薄的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)和n型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场；再在电池的两面通过PVD沉积透明氧化物导电薄膜(Transparent Conductive Oxide，TCO)，TCO不仅可以减少收集电流时的串联电阻，还能起到减反作用；最后在TCO上制作金属电极。
异质结的PN结采用不同半导体材料构成双异质结：在宽带隙的p型和N型半导体材料之间插入一薄层窄带隙的材料。
HJT技术通过在PN结之间插入本征非晶硅作为缓冲层，对晶体硅表面起到良好的钝化作用，很好地解决了常规电池掺杂层和衬底接触区域的高度载流子复合损失问题，实现较高的少子寿命和开路电压。